產品分類
HORIBA堀場HF-700A微量(liang)氫(qing)氟酸(suan)(suan)濃(nong)(nong)度監測儀(yi) 這是一種痕量(liang)氫(qing)氟酸(suan)(suan)濃(nong)(nong)度監測儀(yi),用于管理(li)濕(shi)法工(gong)藝(yi)中(zhong)硫酸(suan)(suan)和*中(zhong) ppm 級氫(qing)氟酸(suan)(suan)濃(nong)(nong)度。 硫酸(suan)(suan)、*和微量(liang)氫(qing)氟酸(suan)(suan)的濃(nong)(nong)度控制,可有效去除蝕刻工(gong)藝(yi)后的聚合物殘留物,并可穩定、連續地測量(liang)到 ppm 級,從(cong)而可以進行有效的工(gong)藝(yi)管理(li)。
更新時間:2026-08-04
產品型號:HF700A
瀏覽量:1194
原裝供(gong)應(ying)HORIBA堀場化(hua)學濃(nong)度(du)(du)監測儀(yi)CS-100 這是(shi)用(yong)于濕法工藝中(zhong)使用(yong)的(de)(de)各種化(hua)學溶液(ye)的(de)(de)化(hua)學濃(nong)度(du)(du)監測儀(yi)系列。 您可以(yi)從(cong) 100 多種應(ying)用(yong)類型(xing)中(zhong)選(xuan)擇適合化(hua)學液(ye)體的(de)(de)型(xing)號。實時測量每(mei)種成分的(de)(de)濃(nong)度(du)(du),并發出警報通(tong)知(zhi)您何時更換化(hua)學溶液(ye)或自動補(bu)充。較短的(de)(de)測量周期(qi)能(neng)夠忠(zhong)實地跟(gen)蹤濃(nong)度(du)(du)變化(hua)。
更新時間:2026-08-04
產品型號:CS100
瀏覽量:1396
現貨供應HORIBA堀場(chang)CS-700化學濃度監測(ce)儀 這是(shi)一款化學濃度監測(ce)儀,可以準確測(ce)量半導體制造工藝(yi)中(zhong)使用的(de)混合液體中(zhong)各(ge)成(cheng)分的(de)濃度。 非常適(shi)合控制多組分化學溶液,包括商標化學溶液。它有(you)助于加(jia)強半導體制造工藝(yi)的(de)質量控制,提高化學品管理的(de)準確性。
更新時間:2026-08-04
產品型號:CS700
瀏覽量:871
進(jin)口(kou)HORIBA堀場CS-151F1光(guang)纖化學濃度(du)檢測(ce)(ce)儀 這(zhe)是一(yi)款光(guang)纖型(xing)化學濃度(du)監測(ce)(ce)儀,可實現清(qing)洗、蝕刻等(deng)半導體制造(zao)工(gong)序中使用(yong)(yong)的(de)化學物質(zhi)的(de)在(zai)(zai)(zai)線實時測(ce)(ce)量。 可以進(jin)行在(zai)(zai)(zai)線實時測(ce)(ce)量。使用(yong)(yong)一(yi)臺(tai)濃度(du)計可以同時測(ce)(ce)量多達 4 種類型(xing)(化學溶(rong)液或微波(bo)),因此適合在(zai)(zai)(zai)一(yi)槽/單晶圓清(qing)潔設備中進(jin)行測(ce)(ce)量。
更新時間:2026-08-04
產品型號:CS151F1
瀏覽量:1236
日(ri)本HORIBA堀場CS-600F光纖化(hua)學(xue)(xue)濃度(du)監(jian)測(ce)儀 這(zhe)是一種光纖型化(hua)學(xue)(xue)濃度(du)監(jian)測(ce)儀,可測(ce)量清洗(xi)和(he)蝕刻等(deng)半導體制造過程中使用的化(hua)學(xue)(xue)物質。 實(shi)現(xian)對濕法(fa)工藝的高溫化(hua)學(xue)(xue)溶液的直(zhi)接測(ce)量。實(shi)現(xian)“快速、穩定、節省(sheng)空間”,實(shi)現(xian)更(geng)高效(xiao)、高精度(du)的化(hua)學(xue)(xue)品管(guan)理。
更新時間:2026-08-04
產品型號:CS600F
瀏覽量:862
北崎HORIBA堀場CS-620F高溫磷(lin)(lin)酸濃度監(jian)測儀(yi) 無需冷卻即(ji)可實時測量(liang)高溫磷(lin)(lin)酸的(de)磷(lin)(lin)酸濃度監(jian)測儀(yi)。 非常適合(he)控制半導體(ti)制造工藝中使用的(de)磷(lin)(lin)酸濃度,主(zhu)要是3D NAND閃存的(de)SiN層*1 蝕刻工藝。 *1 SiN層:在硅(gui)晶片等上形成的(de)硅(gui)和氮化合(he)物的(de)薄膜。
更新時間:2026-08-04
產品型號:CS620F
瀏覽量:888